아니 누구는 안 된다는데,

누구는 된다고 하고...

헷갈리시는 분들 있으실 것 같아서 적어 봅니다. 제 설레발일 수도 있습니다.^^;

# 마이크론의 DUV 선례

마이크론과 같이 오랜 업력이 있는 기업도...

DUV(SAQP, 4중 패터닝)로 1a(13~14nm)의 양산에 상당한 어려움이 있었습니다.

그럼 중국이 이런 길을 포기할 것인가... 그럴 능력이 될까....에서,

결국 된다고 봐야 할 것 같습니다.

얼마 전 들려온 수율 80%를 넘겼다는 소식은

1z(15~16nm)의 경우를 말하는 것으로, 

아직 모르는 분들이 있겠지만 DDR5 및 LPDDR5에 해당하며,

제가 보기엔 과장이 좀 있습니다만...

그럼에도 완전히 어긋나지 않는 선일 가능성이 높아 보입니다.

상업화에 문제가 없다는 것이 중요하겠죠.

다중 패터닝이라함은 마스크 장수도 공정 스텝도 상당히 많이 늘어나게 되어

웨이퍼당 제조원가 역시 엄청날 수 밖에 없습니다.

그런데 요즘 반도체 가격이 미쳐 돌아가는 시기이다 보니,

수율이 절반 정도만 되어도 상당한 마진이 가능하고..

결국엔 개발 소식까지 들려 온...다음 단계인 1a는... 수율 안정화 단계까지

향 후 2~3년 안에는 도달 하지 않을까 싶습니다.

다만, 공정 단계 급증에 따르는 결함 관리 비용 및 장비 가동 시간 부담은

쉽게 생각할 문제가 아닌 것으로 알려져 있습니다.

1b (12nm) 로 내려가게 되면 사실상의 마지막 단계라고 할 수 있는데,

3D쪽으로 길이 먼저 열리지 않는다면...상당한 어려움에 봉착할 가능성이 높습니다.

해결도 어렵고, 해결이 된다고 해도 관리가 어렵고 비효율적이라

일반적인 기업이라면 이 단계에 잘 도전하지 않는 것이 보통입니다.

다만 처한 환경과 판단의 차이로 마이크론이 가장 오래 붙잡고 있었으나

그 만큼의 고생을 했습니다.

이 단계는 난이도라기 보다 처음부터 내포된 비효율이라고 할 수 있겠네요.

공정 단계가 많이 늘어나는데, 그 단계 마다 결함 및 관리가 들어가야 하니...

다음 기술이 없다면 최후의 최후까지 버틴 후 넘어가는 모양새인데,

다음이 없는 중국기업은 ... 어떻게든 성과를 내야 하는데,

사실...  된다고 보기 어렵죠.  된다 해도 꽤 오래 걸리면서,

요즘 시대에 맞는 좋은 성능도 아니고 말이죠.

# 창신메모리의 대안 3D DRAM

사실 지금까지 나온 기술들은 한계선이 너무 명확해서...

거론의 의미가 있나 싶을 정도로 끝단이 잘려 있습니다.

아무리 빨리 달린다고 해도 그 끝이 절벽인 셈입니다.

이것만 보면 언론이 설레발을 치는 것처럼 보입니다.

그런데 3D DRAM의 공정 검증 단계를 지나 몇 년 안에 양산하게 된다면,

이 단계가 한계 우회의 관건이라 볼 수 있을 것 같습니다.

# 결론

앞이 꽉 막혀 있고, 그 끝에 다다를 수록 극단의 비효율일 수 밖에 없지만

다른 길이 보이지 않는 상태에서 계속 가고 있으면서,

대안으로 3D 적층을 돌파구로 삼으려 하는 모습입니다.