[단독] 삼성, HBM 다음 승부수…차세대 '3D D램' 연구 구체화

[단독] 삼성, HBM 다음 승부수…차세대 '3D D램' 연구 구체화 | 뉴스핌

평면 미세화 한계 넘어 수직 적층 구조 검토

실물 제작 전 선행연구…배선 간섭은 과제

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 이후를 겨냥해 D램 셀 구조 자체를 바꾸는 차세대 기술 연구를 구체화하고 있다. 기존 평면 D램을 수직으로 적층하는 3차원(3D) 구조와 누설전류를 줄일 수 있는 산화물 반도체를 적용하는 방안을 검토하며 미래 D램의 한 방향을 제시했다.

◆ HBM 이후 겨냥한 3D D램 선행연구

◆ 산화물 반도체로 누설전류 한계 낮춰

◆ 적층 늘수록 신호 간섭은 과제

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Optimization of 3D-DRAM Architecture with Oxide-Semiconductor Channel through Process and Device Simulation | IEEE Journals & Magazine | IEEE Xplore