삼성전자, ‘차세대 HBM’ TSMC와 함께 만든다

엔비디아 ‘NVHBM’ 공동 생산

‘베이스다이’ 3나노 공정 활용

칩 제조단계부터 협력은 처음

삼성전자(005930)가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)를 개발하면서 핵심 구성품인 ‘베이스다이’를 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 TSMC 공정을 활용하기로 했다. 그간 HBM 공급 시 메모리칩 역할인 코어다이와 시스템반도체 역할인 베이스다이를 모두 자체 생산해온 삼성전자가 엔비디아의 기술적 요구 사항을 수용해 ‘턴키(일괄공급)’ 기반의 HBM 제조 방식을 바꾸기로 한 것이다.

18일 업계에 따르면 엔비디아는 올 8월 공개한 커스텀 HBM인 ‘NVHBM’ 생산을 맡긴 삼성전자와 SK하이닉스(000660)·마이크론에 베이스다이를 TSMC의 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정으로 만들어줄 것을 요구했다. 코어다이 역시 6세대 D램 공정(1c)으로 통일을 요청했다. NVHBM은 차세대 HBM인 HBM4E(7세대) 구조를 기반으로 한다.

엔비디아의 이 같은 요구는 HBM 공급 업체마다 제조 방식이 다르면 설계한 제품 성능을 일관되게 구현하기 어렵기 때문이다. 업체마다 제품 검증을 별도로 해야 하는 부담도 줄일 수 있다. 파운드리 사업을 거느린 삼성전자 DS 부문은 내부 검토 끝에 엔비디아 요구를 수용하기로 했다.

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