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HBM 4 관련주죠. 미국 반도체 기업 마이크론이 9월 23일, 한국시간으로 9월 24일 새벽 5시 이후 실적을 발표합니다.

최근 반도체, HBM 관련주들의 상승이 다시 시작되며 삼성전자, SK하이닉스의 주가가 지속 상승하고 있는데요.

현재 3위 기업인 마이크론의 주가 또한 지난 관세 영향으로 60달러까지 떨어진 후 최근 170달러를 돌파하며 6개월간 약 300% 정도 상승하며 좋은 모습을 보여주었습니다.

마이크론 주가 추세

이에 이번 2분기 실적발표를 통해 호실적이 발표되면 마이크론 뿐만 아니라 AI 반도체 기업들의 주가 또한 전반적인 상승세가 나올 수 있을지 기대되고 있습니다.

특히 HBM4 제품 출하가 시작되며 HBM 4 관련주들인 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 간의 경쟁이 지속 치열해 질 것으로 예상됩니다.

오늘은 아래 순서대로

■ HBM4 출하 시작

■ 차세대 G9 NAND 출시

■ 우주에서도 사용 가능한 SLC NAND

■ 25년 2분기 실적 예상치

■ 마이크론 주가 및 전망

최근 주요 이슈와 더불어 2분기 예상 실적 및 주가 전망 등 전달 드립니다.

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HBM4 출하 시작

HBM4 출하를 시작한 Micron의 이번 행보는 메모리 반도체 산업 전반과 기업 전략에 중대한 전환점을 제시하고 있습니다. 

2025년 6월 10일 Micron은 HBM4 샘플을 주요 고객사들에게 출하했다고 밝혔으며, 이는 대규모 AI 데이터센터 워크로드에서 성능과 전력 효율을 동시에 끌어올리는 차세대 메모리로 평가받고 있습니다. 

새롭게 설계된 HBM4는 스택당 2,048비트 인터페이스를 통해 2.0TB/s를 초과하는 대역폭을 구현하며, 이전 세대인 HBM3E 대비 성능은 약 60% 이상, 전력 효율은 약 20% 이상 향상되었습니다. 

이로써 대규모 언어 모델과 추론 모델의 지연시간 문제를 완화하고, 같은 전력 예산에서 더 많은 토큰을 병렬 처리할 수 있게 함으로써 학습과 추론 모두에서 성능과 효율을 극적으로 끌어올릴 수 있게 되었습니다. 

또한 12-High 적층 패키징과 고도화된 기술을 적용해 고객의 차세대 AI 플랫폼에 빠르게 통합될 수 있는 신뢰성을 확보했으며, 샘플 공급 초기 고객사에는 NVIDIA가 포함된 것으로 업계에서 파악되고 있습니다.

Micron은 2026년부터 본격적인 양산을 고객사들의 차세대 AI 플랫폼 양산 일정과 정합시킬 계획을 밝히며, 이는 Rubin 플랫폼을 2026년 하반기에 상용화하겠다고 발표한 NVIDIA의 계획과도 맞물립니다. 

이러한 정합성은 Micron이 후발주자로 시작한 HBM 시장에서 빠르게 점유율을 확보할 수 있는 기회로 작용할 전망입니다. 

시장조사업체들은 2025년 HBM 전체 시장 규모를 약 350억 달러로 추산하며, 2026년 이후 HBM4가 HBM3E를 대체해 주류 제품으로 부상할 것으로 보고 있습니다. 

Micron 입장에서는 이번 제품을 통해 고부가 제품 비중을 더욱 높이고, 고객사와의 멀티연차 공급 계약을 확대함으로써 매출과 이익의 가시성을 동시에 높일 수 있게 되며, 실제로 이번 분기 기준으로 이미 60억 달러 이상 수준의 예상 매출이 전망됩니다.

또한 HBM4의 본격적인 양산은 범용 DRAM 생산 능력을 잠식해 업계 전반의 공급을 타이트하게 만들고, 이로 인해 범용 DRAM의 가격 방어력도 강화될 가능성이 높습니다. 

기존 범용 DRAM 대비 비트당 ASP가 현저히 높고 마진도 두드러지게 높은 HBM의 비중이 늘어날수록, Micron은 전체 메모리 포트폴리오의 평균 단가와 총마진을 개선하는 동시에 DRAM 업황의 하방 경직성을 강화할 수 있게 됩니다. 

스택당 2.0TB/s를 초과하는 대역폭과 +20% 이상의 전력 효율 개선은 전력·냉각 제약이 심화되는 데이터센터 환경에서 같은 전력 예산으로 더 많은 연산 성능을 확보할 수 있게 하며, 이는 고객의 TCO를 낮추고 Micron 제품의 수요 탄력성을 높일 것입니다.

전반적으로 볼 때 Micron의 HBM4 출하는 고부가 메모리 중심으로의 제품 믹스 전환을 가속화하고, DRAM과 HBM의 공급-이익 동조화를 강화하며, 데이터센터용 LPDDR·고용량 서버 DRAM·데이터센터 SSD와의 교차판매 시너지를 통해 수익성을 한층 높일 것으로 전망됩니다. 

2026년 본격적인 양산 이후에는 분기 매출 100억 달러대 초중반, 매출총이익률 40%대 중후반을 지향하는 실적 경로가 현실화될 가능성이 크며, HBM4 점유율의 조기 안착 여부에 따라 추가 상향 여지도 충분히 열려 있습니다.

차세대 G9 NAND 출시

Micron Technology이 자사의 차세대 G9 NAND 기반으로 구축한 새로운 데이터센터용 SSD 포트폴리오를 공개하며 스토리지 분야에서의 기술적 우위를 한층 강화했습니다. 

이번에 발표된 제품군은 Micron 9650 SSD, Micron 6600 ION SSD, Micron 7600 SSD의 세 가지로 구성되며, 각각 PCIe Gen6, 초고용량 E3.S 폼팩터, 그리고 초저지연 PCIe Gen5 성능을 특징으로 합니다. 

이 제품들은 모두 업계 최초의 9세대 3D NAND 공정을 적용해 설계되었으며, 전력 효율과 데이터 처리 성능을 동시에 높여 인공지능 중심의 데이터센터 인프라 요구에 대응하도록 만들어졌습니다. 

Micron이 스토리지 제품군을 이처럼 전면적으로 개편한 것은 AI 워크로드가 요구하는 데이터 처리량과 응답 시간을 충족시키는 동시에, 에너지 효율성과 공간 효율성 측면에서도 시장의 기대치를 상회하려는 전략적 의도가 담겨 있습니다.

9650 SSD는 세계 최초의 PCIe Gen6 데이터센터 SSD로, 초당 약 28GB의 순차 읽기 속도와 약 14GB의 순차 쓰기 속도, 최대 약 5.5M IOPS의 랜덤 읽기 성능을 제공해 이전 세대 Gen5 SSD 대비 랜덤 쓰기 시 약 25%, 랜덤 읽기 시 약 67% 향상된 에너지 효율을 구현했습니다. 

NVIDIA, Dell Technologies, Astera Labs, Broadcom 등과의 생태계 협력을 통해 NVIDIA Blackwell GPU와의 PCIe 6.0 기반 P2P 데이터 전송 시연도 성공적으로 진행해, GPU와 CPU 간 병목 없이 대규모 AI 모델 학습 및 추론 파이프라인을 가속할 수 있는 기반을 마련했습니다. 

고속 데이터 접근이 중요한 RAG 파이프라인이나 대규모 엔터프라이즈 에이전트 모델에서 지연 시간을 획기적으로 줄여 GPU 유휴 시간을 최소화함으로써 전체 시스템 효율을 극대화할 수 있다는 점이 강조됩니다. 

이번 G9 NAND SSD 포트폴리오는 Micron이 AI 데이터센터 시장에서 기술적·경제적 리더십을 공고히 하는 전환점으로 작용할 가능성이 큽니다. 

고성능과 초대용량을 동시에 제공해 GPU 활용률을 극대화하고, 에너지 및 공간 효율 개선으로 총소유비용을 절감시키며, 차세대 PCIe 생태계를 선도하는 역량을 입증한 만큼, 대규모 클라우드 서비스 제공업체와 하이퍼스케일 데이터센터 사업자들의 채택이 가속화될 것으로 예상됩니다. 

이는 Micron이 메모리 중심 기업에서 AI 인프라 전반을 지탱하는 핵심 스토리지 공급자로 위상을 확장하는 데 중요한 계기가 될 것으로 판단됩니다.

우주에서도 사용 가능한 SLC NAND

Micron Technology이 2025년 7월 22일, 업계 최고 수준의 집적도를 갖춘 방사선 내성(single-level cell, SLC) NAND 메모리를 공식 발표하며 우주 산업을 위한 새로운 제품군 포트폴리오 진입을 선언했습니다. 

이 제품은 다이 용량이 약 256Gb에 달하며, 상업 및 정부 우주 미션이 급격히 증가하는 가운데 우주 궤도 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 설계된 최초의 방사선 내성 SLC NAND입니다. 

지금까지 주요 메모리 제조사들 중 어느 곳도 이 수준의 집적도와 방사선 내성을 동시에 갖춘 NAND를 제공한 적이 없었기 때문에, 이번 제품 출시는 Micron이 우주용 메모리 시장에서 기술적 주도권을 확보했다는 의미를 지닙니다. 

또한 이번 제품은 향후 NOR, DRAM 등 다양한 우주용 메모리 제품군으로 확장될 계획의 첫 단계로, Micron이 우주 항공 분야에 본격적으로 진출하려는 전략적 포석이라 할 수 있습니다.

우주 환경은 지구와 달리 대기층의 보호가 없기 때문에 전자부품이 태양 플레어나 우주선(cosmic ray)으로부터의 고에너지 입자에 직접 노출됩니다. 

이러한 환경에서는 총 이온화 선량(TID)과 단일 입자 효과(SEE)가 메모리 동작을 불안정하게 만들 수 있는데, TID는 장기간 누적되는 방사선이 트랜지스터 임계전압을 변화시켜 읽기·쓰기 오류를 유발하고, SEE는 고에너지 입자가 반도체 노드를 직접 타격해 순간적인 비트 전환이나 심할 경우 래치업 같은 영구적 손상을 일으킬 수 있습니다. 

Micron의 256Gb SLC NAND는 이러한 문제를 해결하기 위해 NASA의 PEM-INST-001 Level 2 플로우에 따라 약 1년에 걸친 품질 및 신뢰성 검증을 거쳤으며, MIL-STD-883 TM1019 Condition D 규격에 부합하는 저선량 총 이온화 선량 시험과 JEDEC JESD57, ASTM F1192 기준의 단일 입자 효과 시험을 통해 방사선 내성을 입증했습니다. 

이 과정에는 -55°C에서 +125°C까지 약 20회 이상의 열 사이클 시험, 85°C에서 수백 시간 이상의 연소(burn-in) 시험, 진공·충격·진동 내구성 시험 등이 포함되며, 이를 통해 극한의 우주 환경에서도 장기간 안정적으로 동작할 수 있는 신뢰성을 확보했습니다.

Micron은 미국에 본사를 둔 유일한 메모리 제조사로서, 방산·항공우주 분야에서 요구하는 품질·보안·추적성·공급 지속성 측면에서 독보적인 공급망 통제력을 보유하고 있다는 점도 주목됩니다. 

현재 Micron은 Virginia 주 Manassas에 위치한 제조시설 현대화와 함께 NOR, SLC NAND, DDR3, DDR4, LPDDR4 등 항공우주 핵심 부품의 장기 공급 계획을 발표한 상태이며, 향후 우주 전용 메모리 생산 공정을 최적화해 원웨이퍼 선택부터 공정 정밀도, 규격 적합성까지 전 과정 품질을 관리하는 체계를 구축하고 있습니다. 

또한 글로벌 고객 엔지니어링 랩 경험을 기반으로 지역별 우주산업 특화 고객 지원 조직과 설계 지원팀을 신설해 급성장하는 우주산업 수요에 대응하려 하고 있으며, 향후 NOR·NAND·DRAM 계열의 추가 우주 인증 제품군도 순차적으로 공개할 예정입니다.

이번 256Gb 방사선 내성 SLC NAND의 출시는 Micron에게 기술적·사업적 측면에서 중대한 전환점이 될 것으로 보입니다.

고집적·고신뢰 메모리를 확보함으로써 우주 궤도에서의 AI 기반 엣지 컴퓨팅을 가능하게 하고, 지구와의 데이터 왕복 없이 궤도상에서 실시간 분석과 의사결정을 수행하는 차세대 우주 미션의 기반을 제공하게 됩니다. 

이는 단순한 부품 공급을 넘어, 우주산업 생태계 내에서 Micron의 전략적 입지를 강화하고 항공우주 및 정부 분야의 핵심 파트너로 자리매김하게 하는 중요한 계기가 될 것입니다.

25년 2분기 실적 예상치 (회계연도 4분기)

마이크론은 9월 23일, 한국시간으로 9월 24일 새벽 5시 미국 증시 마감 후 실적을 발표합니다. 

Micron의 지난 분기 실적은 시장의 예상치를 크게 웃돌며 반도체 업황 회복세와 AI 인프라 확산 흐름을 입증했습니다. 

매출은 약 93억 달러 수준으로 전년 동기 대비 36% 이상, 전 분기 대비 15% 이상 증가했고, 영업이익은 약 24억~25억 달러로 전년 대비 160% 이상, 전 분기 대비 20% 이상 개선됐습니다. 

주당순이익(EPS)도 1.9달러 수준으로 컨센서스였던 1.6달러보다 15~20% 높았습니다. 

매출총이익률은 약 39%로 전 분기보다 1%포인트, 전년보다 10%포인트 이상 개선되며 수익성 회복세를 뚜렷하게 보여줬습니다. 

이러한 호실적의 핵심 배경은 데이터센터향 메모리 수요 급증과 AI 가속기 채택 확산에 따른 고부가 제품 중심의 판매 증가였습니다. 

특히 HBM 매출은 전분기 대비 약 50% 확대되며 전체 DRAM 출하 성장률을 견인했고, 고용량 서버 DRAM 및 저전력 LPDDR 제품도 주요 클라우드 고객사 수요에 힘입어 크게 늘었습니다. 

Micron의 연도별 재무실적 추이 및 추정치, 출처: Capital IQ

DRAM 매출은 약 70억~71억 달러 수준으로 전년 대비 50% 이상 성장했고, NAND 매출도 약 21억~22억 달러로 5% 수준의 증가세를 기록했습니다. 

다만 DRAM과 NAND의 평균판매단가(ASP)는 각각 전분기 대비 3~4%, 8~9%가량 하락해, 소비자향 제품 비중 확대로 인한 믹스 악화 우려가 일부 제기됐습니다. 

NAND의 경우 공정 전환에 따른 웨이퍼 투입량 감소에도 불구하고 최신 공정 전환으로 비트 출하량은 오히려 늘었고, CEO는 이러한 생산 조절로 공급 과잉을 방지하면서도 최신 공정을 통해 수율을 높여 수익성을 지킬 계획이라고 밝혔습니다. 

사업부별로는 컴퓨트 및 네트워킹(CNBU) 부문이 약 51억 달러로 전년 대비 90% 이상 증가하며 성장세를 주도했고, 모바일(MBU)과 스토리지(SBU), 임베디드(EBU) 부문도 각각 10~20%대의 전분기 성장률을 기록하며 회복세를 보였습니다. 

특히 데이터센터 SSD 시장에서 점유율 2위에 올랐고, 고용량 및 저전력 제품군의 판매 확대로 콘텐츠 단가 상승 효과도 나타났습니다.

Micron의 분기별 재무실적 추이 및 추정치, 출처: Capital IQ

이러한 흐름을 반영해 Micron은 2025년 2분기 (회계연도 4분기) 실적 가이던스를 상향 조정했습니다. 

매출은 기존 107억 달러 가이던스에서 112억 달러 수준으로 약 5% 높였고, EPS도 기존 2.50달러에서 2.85달러로 약 14% 높였습니다. 

매출총이익률 역시 기존 42%에서 44~45%로 2%포인트 이상 높였는데, 이는 디램 가격 상승과 운영 효율성 개선의 동반 효과로 분석됩니다. 

특히 DDR5 및 LPDDR5 수요가 안정적으로 이어지는 가운데 HBM 생산 비중이 높아지며 일반 디램 생산 캐파가 자연스럽게 축소되고 있어 공급 측 구조적 타이트함이 가격 인상을 뒷받침하고 있습니다. 

회사는 HBM3E 12단 제품의 양산 수율이 최근 60% 수준까지 개선되었고, HBM 매출이 현재 런레이트 기준 60억 달러를 상회하는 흐름으로 증가하고 있다며, 연말까지 기존 DRAM 점유율 수준인 23~24%에 조기 도달할 가능성을 시사했습니다. 

그리고 HBM4는 이미 고객사에 샘플을 공급해 테스트 중이고, 2026년부터 본격 양산 예정입니다. 

또한 HBM4E부터는 고객 맞춤형 다이를 포함한 공동 설계 요구가 증가할 것으로 전망되며, 이는 고객들이 벤더 수를 1~2개로 줄이며 파트너십을 심화시키는 구조를 만들 가능성이 높습니다. 

범용 DRAM 시장에서도 HBM 중심의 설비 전환이 계속되며 신규 캐파 투자가 제한돼 공급 부족 리스크가 상존하는 가운데, 이 역시 가격 지지력을 제공해 마진 방어에 기여할 것으로 보입니다.

 

 

Micron은 AI 데이터센터 수요 증가, HBM 고성장, 고부가 제품 중심 믹스 개선이라는 세 가지 동력을 기반으로 2025년 하반기부터 2026년까지도 가파른 실적 성장세를 이어갈 가능성이 높습니다. 

시장은 2025~2027년 Micron의 매출 연평균 성장률(CAGR)을 약 25% 이상, EPS 성장률을 110% 이상으로 추정하고 있으며, 현재 주가 기준 2025년 예상 P/E는 16배 내외, 2026년 기준으로는 12배 중반으로 경쟁사 대비 밸류에이션 매력도도 부각되고 있습니다. 

단기적으로는 일부 소비자향 제품 비중 확대로 DRAM ASP가 낮아지고 주가가 실적 발표 후 조정을 받았지만, 하반기부터 본격화될 HBM의 매출 기여 확대와 AI 서버·데이터센터향 수요 지속으로 실적 상향 여지가 커지고 있어, 중장기적으로는 긍정적 관점이 유효하다고 판단됩니다.

마이크론 주가 및 전망

Micron Technology의 향후 전망을 보면, 인공지능 중심의 데이터 처리 수요가 가파르게 증가하는 흐름 속에서 고성능 메모리와 스토리지 분야에서의 입지를 더욱 넓혀갈 가능성이 높습니다. 

이미 G9 NAND 기반의 Micron 9650 SSD, Micron 6600 ION SSD, Micron 7600 SSD 등 차세대 SSD를 공개하며 데이터센터 시장에서 성능, 전력 효율, 공간 활용도 측면에서 뚜렷한 우위를 확보했으며, 동시에 256Gb 용량의 방사선 내성 SLC NAND를 출시해 우주항공 산업까지 제품 영역을 확장하기 시작했습니다. 

데이터센터, 엣지 컴퓨팅, 우주 미션과 같이 지연 시간과 전력 효율성, 신뢰성이 핵심인 분야에서 Micron의 제품은 차별화된 경쟁력을 지니며, 이러한 전략은 단기적인 매출 확대뿐 아니라 장기적인 시장 지배력 강화에도 직접적으로 연결될 것으로 보입니다. 

또한 Micron은 NAND와 DRAM, 컨트롤러, 펌웨어, 제조 공정까지 직접 통제하는 수직 통합 구조를 유지하고 있어, 공급망 안정성과 보안성, 제품 품질을 동시에 확보하며 경쟁사 대비 우위에 설 수 있는 기반을 갖추고 있습니다. 

앞으로 NOR, SLC NAND, DRAM 등 다양한 우주 인증 메모리 제품군을 추가로 출시할 계획을 밝히며 항공우주와 방산 분야로 사업 영역을 넓히려는 움직임도 뚜렷하게 나타나고 있습니다.

마이크론 주가 추세

산업 전반의 흐름을 보면, 메모리와 스토리지 시장은 앞으로 수년간 빠른 성장세를 이어갈 가능성이 큽니다. 

인공지능, 머신러닝, 대규모 데이터센터, 클라우드 컴퓨팅, 자율주행차, 사물인터넷과 같은 응용 분야에서 메모리 수요가 급격히 늘어나고 있으며, 특히 고성능과 고용량, 저지연 특성을 동시에 만족시키는 제품에 대한 요구가 두드러지고 있습니다. 

시장 조사 기관들은 전 세계 메모리 시장 규모가 향후 약 5년에서 7년 사이에 두 배 가까이 확대될 것으로 전망하고 있으며, 연평균 성장률도 두 자릿수에 이를 것으로 예상하고 있습니다. 

마이크론 지난 10년간 주가

동시에 전력 효율성, 공간 활용도, 내구성 같은 비기술적 요인도 제품 경쟁력에서 점점 더 중요한 요소로 작용하고 있습니다. 

아시아 지역은 여전히 생산과 수요의 중심지로 자리하고 있고, 미국을 비롯한 서구권에서는 전략 산업으로서 메모리 생산의 자급화와 현지화를 추진하며 공급망 복원력을 강화하려는 움직임이 이어지고 있습니다. 

이러한 구조적 변화는 각 기업에게 대규모 설비 투자와 공정 기술 혁신을 요구하고 있으며, 그만큼 진입 장벽이 높아지고 기존 대형 업체들의 과점 구도가 더욱 공고해질 가능성이 큽니다.

이와 같은 흐름을 고려하면, Micron은 데이터센터와 우주항공 등 빠르게 성장하는 응용 분야에서 기술 혁신과 제품 다각화를 바탕으로 점유율을 넓혀갈 가능성이 높습니다. 

전 세계 메모리 산업은 기술 사양의 고도화, 용량 밀도의 확대, 에너지 효율 개선, 공급망 안정성 확보라는 방향으로 진화하고 있으며, Micron은 이러한 산업 전환의 흐름 속에서 핵심적인 위치를 차지할 수 있을 것으로 전망됩니다.

이번 9월 23일 마이크론의 실적발표에서 호실적이 발표되면 반도체, HBM 관련주의 주가 또한 전반적인 상승을 보여줄 가능성이 있기에 관심있게 지켜보시기 바랍니다.

프로택트 경제공부 드림.

※ 저희는 카이스트, 연대 출신의 다양한 산업별 15년이상 전/현직자로 구성된 스타트업입니다. 

     기업, 산업, 경제에 대한 분석 및 컨텐츠를 올려드리고 있습니다.

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